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Toshiba: Markteinführung eines 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET für den Automobileinsatz, der Hochstromgeräte durch Einführung eines neuen Gehäuses mit hoher Wärmeableitung unterstützt | Business Wire

Kawasaki–(GESCHÄFTSDRAHT)–(BUSINESS WIRE)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationist ein 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen, der ein neues Gehäuse mit hoher Wärmeableitung, L-TOGL™ (Large Transistor Outline

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